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主页 › 产品中心 > 静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
低功耗静态存储器（LOW POWER SRAM） 低功耗SRAM芯片作为静态随机存储器的一种类别； 特征为功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit： 属于易失性存储芯片，掉电后数据会产生丢失： 主要应用于内置电池，并对功耗非常敏感的产品，如POS机，手持设备等：
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Serial RAM
串行存储器芯片（Serial RAM） 串行Serial RAM为了满足更小管脚的设计跟更小PCB板尺寸而衍生出来的一款存储器; 存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器（DRAM、闪存等）中，串行接口已经取代了并行接口; 在SRAM市场中一直处于小众地位，在空间非常有限的特定应用中，它们一直是低功耗、小尺寸替代方案;
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异步快速Async Fast
异步快速存储器芯片（Async Fast SRAM） 一般来说单片机MCU会采用异步静态岁级存储器， 另外有些以并行方式接口的模拟/数字I/O器件，如A/D、D/A、开入/开出等，也会采用异步静态随机存储器， 静态随机存储器比DRAM快些，并依赖于CPU的时钟， 存取速度有12ns、15ns和18ns三种，值越小，表示存取数据的速度越快。
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国产SRAM芯片
国产SRAM芯片 XRAM是一款基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM） 专利技术而成的新型X型随机存储器，可用于替换传统DRAM和SRAM， 相对比DRAM产品在数据读取速率约快10倍以上， 延时速度10ns,可提供千兆级容量存储， 可随时访问速度不需要刷新机制，在性能上接近于SRAM产品， 并提供SRAM接口便于应用设计。
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