32Mb高速SRAM芯片ISSI IS61WV204816BLL

ISSI 32Mb高速SRAM ISSI IS61WV204816BLL是高速32Mb静态RAM，以16位2048K字的形式组织。采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术带来的是高性能和低功耗的器件。
 
当CS#为“高”（取消选择）时，器件进入待机模式，功率耗散可随CMOS的输入电平降低。简单的存储器扩展则通过芯片使能和输出使能输入实现。有源“低”写使能(WE#)控制存储器的写入和读取。数据字节允许高位字节(UB#)和低位字节(LB#)存取。采用JEDEC标准48引脚TSOP（I类）和48引脚mini BGA(6mmx8mm)封装。该型号SRAM适合应用于汽车和电信/网络。
 
特性
•高速存取时间：10ns，12ns
•高性能、低功耗CMOS工艺制造
•多个中心电源和接地引脚提高了噪声抗扰度•
•CS#和OE#便于存储器扩展
•TTL兼容型输入和输出
•单电源
-VDD2.4V至3.6V
•提供的封装：
-48引脚mini BGA(6mmx8mm)
-48引脚TSOP（I类）
•支持工业和汽车温度
•提供无铅规格
•高位和低位字节的数据控制

关键词：SRAM