​4Mbit异步快速SRAM芯片EMI504NF08VA-10I

    国产SRAM芯片厂家EMI504NF08VA-10I是一款容量4Mbit的SRAM存储器，组织为512Kx8位。它使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，该引脚的操作速度快于读取周期的地址访问时间。该器件采用先进的CMOS工艺、基于6-TR的单元技术制造，并设计用于高速电路技术。它特别适合在高密度高速系统应用中使用。
 
    EMI504NF08VA-10I特征
    •快速访问时间为10ns，
    •CMOS低功耗待机
    •单个3.3±0.3V、5.0±0.5V电源
    •电源范围广：1.65V～3.6V。
    •TTL兼容输入和输出
    •全静态运行。
    •三态输出。
    •数据字节控制x8
    •标准44TSOP2包装。
    •工业运行温度
 

本文关键词：SRAM,EMI504NF08VA-10I

相关文章：JSC低功耗SRAM芯片EM610FV8T-70LF