低功耗同步动态随机存储器芯片（Mobile SDRAM）
较低的功率消耗及多样的电压支持选择(1.8V,2.5V,3.0V)
体积更为缩小(FBGA)
更高的记忆体容量(768M/1G with DDP)
更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
较低的功率消耗及多样的电压支持选择(1.8V,2.5V,3.0V)
体积更为缩小(FBGA)
更高的记忆体容量(768M/1G with DDP)
更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
JSC是一家拥有全球竞争力的专业移动专业公司。自从开发用于移动电话的低功耗SRAM以来，JSC半导体公司成功开发了移动RAM（CellularRam）和LP DDR SDRAM等新产品。以下产品为Mobile DDR1 SDRAM，属于低功耗同步动态随机存储器芯片，产品的容量范围为128Mb~1Gb，电压范围在1.7V~1.95V，速度在166/200MHz,提供90B (8x13x1.0mm)和60B (8x9x1.0mm)两种封装形式。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。| 型号 | 容量 | 位宽 | 电压(V) | Option | 最大工作频率 | 封装 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JSD1G324PAJ-50x | 1Gbit | x32 | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 90B (8x13x1.0mm) | 联系我们 |
| JSD1G164PAH-50x | 1Gbit | x16 | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 联系我们 |
| JSD12324PAJ-50x | 512Mbit | x32 | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 90B (8x13x1.0mm) | 联系我们 |
| JSDE12164PAH-50x | 512Mbit | x16 | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 联系我们 |
| JSD12164PAH-50x | 512Mbit | x16 | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 联系我们 |
| JSD56324PAH-50x | 256Mbit | x32 | 1.7~1.95V | mDDR | 200MHz | 90B (8x13x1.0mm) | 联系我们 |
| EMD56164PCH-60x | 256Mbit | x16 | 1.7~1.95V | mDDR | 166MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 联系我们 |
| EMD56164PBH-60x | 256Mbit | x16 | 1.7~1.95V | mDDR | 166MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 联系我们 |
| EMD28164PCH-60x | 128Mbit | x16 | 1.7~1.95V | mDDR | 166MHz | 60B (8x9x1.0mm) | 联系我们 |
