快闪存储器芯片（NAND FLASH）
一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器
其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快
一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器
其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快
以下产品为NAND FLASH，属于快闪存储器芯片。ATO提供256MB/512MB/1GB（仅3.3V，x8）容量，工作电压为1.8V和3.3V，提供TSOP/FBGA两种封装形式，工作速度为25/30/45/50ns，适用于各种类型的应用程序，如MP3、数码照相机、摄像机、存储卡和其他消费电子设备。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。| 型号 | 容量 | 电压(V) | 位宽 | 速度 | 封装 | 有效性 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFND1216S1 | 512Mb | 1.8V | X8 / x16 | 50ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND5616U1 | 256Mb | 3.3V | X8 / x16 | 30ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND1216U1 | 512Mb | 3.3V | X8 / x16 | 30ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND5616S1 | 256Mb | 1.8V | X8 / x16 | 50ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND1208S1 | 512Mb | 1.8V | X8 / x16 | 50ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND5608U1 | 256Mb | 3.3V | X8 / x16 | 30ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND5608S1 | 256Mb | 1.8V | X8 / x16 | 50ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFND1208U1 | 512Mb | 3.3V | X8 / x16 | 30ns | TSOP/FBGA | Now | 联系我们 |
| AFD1G08U3 | 1Gb | 3.3V | X8 | 25ns | TSOP/FBGA | Q4’2012 | 联系我们 |
| AFD1G08S3 | 1Gb | 1.8V | X8 | 45ns | TSOP/FBGA | TBD | 联系我们 |
