国产SRAM芯片
XRAM是一款基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）
专利技术而成的新型X型随机存储器，可用于替换传统DRAM和SRAM，
相对比DRAM产品在数据读取速率约快10倍以上，
延时速度10ns,可提供千兆级容量存储，
可随时访问速度不需要刷新机制，在性能上接近于SRAM产品，
并提供SRAM接口便于应用设计。
XRAM是一款基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）
专利技术而成的新型X型随机存储器，可用于替换传统DRAM和SRAM，
相对比DRAM产品在数据读取速率约快10倍以上，
延时速度10ns,可提供千兆级容量存储，
可随时访问速度不需要刷新机制，在性能上接近于SRAM产品，
并提供SRAM接口便于应用设计。
XM6A系列产品采用DRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，支持DDR3高速带宽,提供10ns级别的读写延迟速度,完全不需要DRAM的刷新机制，与
