双信道三次同步动态存储器芯片(DDR3 SDRAM)
DDR3内存Prefetch提升至8 bit,即每次会存取8 bits为一组的数据。
DDR3传输速率介于 800~1600 MT/s之间。此外,
DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V,较DDR2的1.8V更为省电。
     
 
		
		
	    
JSC是一家拥有全球竞争力的专业移动专业公司。自从开发用于移动电话的低功耗SRAM以来,JSC半导体公司成功开发了移动RAM(CellularRam)和LP DDR SDRAM等新产品。以下产品为Mobile SDRAM,属于低功耗同步动态随机存储器芯片,产品的容量范围为128Mb~512Mb,电压范围在1.7V~1.95V,速度在133/166/200MHz。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。 
	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	    	
	    	
	    
	        
	            
	                	                | Part Number | 
	                	                Capacity | 
	                	                Organization | 
	                	                Voltage | 
	                	                Speed(MHz) | 
	                	                Temperature | 
	                	                Package | 
	                	                PDF | 
	            
	            	            	            
	                	                | JSR364G168NHR-LAI | 
	                	                4Gbit | 
	                	                256Mb x 16 | 
	                	                1.35V | 
	                	                DDR3-2133 | 
	                	                Industrial | 
	                	                96FBGA | 
	                	                
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	                	                4Gbit | 
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	                	                1.35V | 
	                	                DDR3-2133 | 
	                	                Consumer | 
	                	                96FBGA | 
	                	                
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	                	                4Gbit | 
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	                	                1.35V | 
	                	                DDR3-1866 | 
	                	                Industrial | 
	                	                96FBGA | 
	                	                
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	                	                4Gbit | 
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	                	                1.35V | 
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